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• 200 1_ |a Sb基高电子迁移率晶体管 |A Sb ji gao dian zi qian yi lv jing ti guan |b 专著 |f 武利翻著

• 210 __ |a 西安 |c 西北大学出版社 |d 2019.09

• 215 __ |a 108页 |c 图 |d 24cm

• 330 __ |a 本书包括五个部分，即Sb基高电子迁移率晶体管的应用及发展、高电子迁移率晶体管的工作原理、晶体管的仿真、器件外延材料生长、InAs/AlSb HEMT器件制作工艺。

• 333 __ |a 本书可作为从事Sb基高电子迁移率晶体管的研究人员参考书

• 606 0_ |a 高电子迁移率晶体管 |x 研究

• 690 __ |a TN32 |v 5

• 701 _0 |a 武利翻 |A wu li fan |4 著

• 801 _0 |a CN |b 人天书店 |c 20191111

• 856 __ |q text |s 57659.62K |u http://www.cxstar.com/Book/Detail?pinst=P6u77RH0me5oQF0l5w3&ruid=26b1bc5e000805XXXX

• 904 __ |a 26b1bc5e000805XXXX |b 电子科学与技术 |c 不可供 |d 成人学术 |e 否

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