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题名/责任者:

IGBT疲劳失效机理及其健康状态监测/肖飞[等]编著

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2019.11

ISBN及定价:

978-7-111-63407-2/CNY59.00

载体形态项:

232页:图;24cm

个人责任者:

肖飞 编著

学科主题:

绝缘栅场效应晶体管-疲劳机理-监测

中图法分类号:

TN386.2

题名责任附注:

编著还有：刘宾礼、罗毅飞、黄永乐

提要文摘附注:

本书通过分析IGBT芯片与封装疲劳失效机理，在研究失效特征量随疲劳老化时间变化规律的基础之上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立了IGBT相关电气特征量的健康状态监测方法，对处于不同寿命阶段的IGBT器件健康状态进行有效评估。

使用对象附注:

本书可作为从事电力电子技术理论与工程的技术人员的参考书，也可作为电力电子与电力传动专业的本科生、硕士和博士研究生，以及从事电力电子器件方面研究的师生与研究人员的参考书

电子资源:

http://www.cxstar.com/Book/Detail?pinst=P6u77RH0me5oQF0l5w3&ruid=27d26fe5004395XXXX

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