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题名/责任者:

NAND闪存技术/(日) 有留诚一著 陈子琪译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2025

ISBN及定价:

978-7-111-77348-1/CNY139.00

载体形态项:

xviii, 328页:图 (部分彩图);24cm

并列正题名:

NAND flash memory technologies

丛编项:

集成电路科学与工程丛书

个人责任者:

有留诚一 著

个人次要责任者:

陈子琪 译

学科主题:

半导体存贮器

中图法分类号:

TP33

出版发行附注:

本书中文简体字版由Wiley授权机械工业出版社出版

相关题名附注:

英文并列题名取自封面

责任者附注:

有留诚一, 从2009年到2014年担任韩国利川市SK海力士公司的高级研究员。在多个国家的多家公司为NAND闪存技术做出了超过27年的贡献。

书目附注:

有书目

提要文摘附注:

本书讨论了基本和先进的NAND闪存技术, 包括NAND闪存的原理、存储单元技术、多比特位单元技术、存储单元的微缩挑战、可靠性和作为未来技术的3D单元。第1章描述了NAND闪存的背景和早期历史。第2章描述了器件的基本结构和操作。接下来, 第3章讨论了以微缩为重点的存储单元技术, 并且第4章介绍了多电平存储单元的先进操作。第5章讨论了微缩的物理限制。第6章描述了NAND闪存的可靠性。第7章研究了3D NAND闪存单元, 并讨论了结构、工艺、操作、可扩展性和性能方面的优缺点。第8章讨论了3D NAND闪存面临的挑战。最后, 第9章总结并描述了未来NAND闪存的技术和市场前景。

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